LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控 制芯片，適用于AC-DC的同步整流應(yīng)用，適用于 正激系統(tǒng)和反激系統(tǒng)。LP35118V支持DCM和CCM 多種工作模式。

LP35118V 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。

LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片 VCC不會欠壓。 LP35118V 采用SOT23-6L 封裝。

產(chǎn)品特點：

• 隔離型的同步整流控制應(yīng)用
• 適用正激和反激系統(tǒng)
• 兼容DCM和CCM多種工作模式
• 控制芯片200V高耐壓
• 驅(qū)動低閾值NMOS
• 專利的整流管開通技術(shù)
• 極快的關(guān)斷速度
• 可調(diào)的同步MOS關(guān)斷閾值
• 集成VCC供電技術(shù)
• 芯片供電欠壓保護
• 芯片過壓鉗位
• 芯片啟動前驅(qū)動腳防誤導(dǎo)通
• 外圍元器件少
• 符合ROHS,HF&REACH要求

應(yīng)用領(lǐng)域：充電器和適配器的同步整流 、正激控制器和反激控制器

典型應(yīng)用：

管腳封裝：

LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流 芯 片，適用于隔離型的同步整流應(yīng)用，適用于正激 和反激系統(tǒng)，支持DCM和CCM多種工作模式。 LP35118V 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在CCM工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。 LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片VCC不會欠壓。

啟動

當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置MOS的體二極管對輸出 電容充電，輸出電壓上升。LP35118V通過D腳連 接輸出電壓，當(dāng)輸出電壓上升時，經(jīng)過芯片內(nèi)部 供電電路，給VCC電容充電，當(dāng)VCC的電壓充 到開啟閾值電壓時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作， MOS正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS正常的導(dǎo)通時，電 流不再從體二極管流過，而從MOS的溝道流過。芯片正常工作時，所需的工作電流仍然會通過D 腳，給VCC供電。

同步整流管導(dǎo)通

DCM工作時，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級芯片 關(guān)斷時，會產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號， 導(dǎo)致同步整流管的異常開啟， LP35118V采用專 利的整流管開通技術(shù)。 當(dāng)初級芯片關(guān)斷時，次級LP35118V的漏極D與 GND之間的電壓迅速下降。 LP35118V通過檢測 D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準(zhǔn) 確的判斷同步整流管的開啟。