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LP35118V 20W-30W氮化鎵快充中的高效同步整流解決方案
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-01-08 14:11:46 瀏覽人數(shù):17624

在現(xiàn)代電子設(shè)備中,氮化鎵(GaN)快充技術(shù)因其高效率和快速充電能力而備受關(guān)注。為了進(jìn)一步提升氮化鎵快充的性能,選擇合適的同步整流IC至關(guān)重要。LP35118V作為一款高性能的副邊同步整流驅(qū)動(dòng)芯片,憑借其優(yōu)異的特性,成為20W至30W氮化鎵快充應(yīng)用的理想選擇。本文將詳細(xì)介紹LP35118V在氮化鎵快充中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)及其技術(shù)特點(diǎn)。

LP35118V芯片概述


LP35118V是一款專(zhuān)為AC-DC同步整流應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能高耐壓芯片,適用于正激和反激系統(tǒng)。它支持DCM(斷續(xù)導(dǎo)通模式)和CCM(連續(xù)導(dǎo)通模式)等多種工作模式。LP35118V采用專(zhuān)利的整流管開(kāi)通判定技術(shù),能夠有效避免因激磁振蕩引起的誤開(kāi)通,確保同步整流的準(zhǔn)確性和可靠性。此外,LP35118V還具有極快的關(guān)斷速度,能夠顯著降低在CCM工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。


LP35118V內(nèi)部框架圖如下



技術(shù)特點(diǎn)


    高耐壓能力:LP35118V的控制芯片具有200V的高耐壓能力,能夠適應(yīng)各種高壓輸入環(huán)境,確保在高電壓條件下的穩(wěn)定工作。
    驅(qū)動(dòng)低閾值NMOS:支持低閾值NMOS的驅(qū)動(dòng),降低了驅(qū)動(dòng)電壓需求,提高了系統(tǒng)的效率和響應(yīng)速度.。
    專(zhuān)利的整流管開(kāi)通技術(shù):通過(guò)檢測(cè)漏極電壓的下降閾值和下降速率,準(zhǔn)確判斷同步整流管的開(kāi)通時(shí)機(jī),避免誤開(kāi)通。
    快速關(guān)斷速度:具有極快的關(guān)斷速度,能夠迅速響應(yīng)負(fù)載變化,減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。
    集成VCC供電技術(shù):在不需要輔助繞組供電的情況下,保證芯片VCC不會(huì)欠壓,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),降低了成本。
    多重保護(hù)功能:包括VCC欠壓保護(hù)、過(guò)壓鉗位以及驅(qū)動(dòng)腳去干擾等技術(shù),增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

在氮化鎵快充中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)


    提高充電效率:LP35118V的快速關(guān)斷速度和專(zhuān)利整流管開(kāi)通技術(shù)能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,提高氮化鎵快充的充電效率,縮短充電時(shí)間。

    簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì):集成的VCC供電技術(shù)和低閾值NMOS驅(qū)動(dòng)減少了外圍元件的需求,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),降低了設(shè)計(jì)難度和成本。

    增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性:多重保護(hù)功能和高耐壓能力使得LP35118V在各種負(fù)載條件下都能穩(wěn)定工作,提高了氮化鎵快充系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

    適應(yīng)多種工作模式:支持DCM和CCM等多種工作模式,能夠滿(mǎn)足不同功率和負(fù)載條件下的同步整流需求,具有廣泛的適用性。

典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)



在20W至30W氮化鎵快充應(yīng)用中,LP35118V的典型應(yīng)用電路設(shè)計(jì)如下:

    輸入整流電路:
        采用整流橋?qū)⒔涣鬏斎腚妷恨D(zhuǎn)換為直流電壓,為后續(xù)電路提供穩(wěn)定的輸入。
        在整流橋的輸出端并聯(lián)一個(gè)大容量的電解電容,用于濾除整流后的脈動(dòng)電壓,得到平滑的直流電壓。

    同步整流電路:
        LP35118V的DRV引腳與同步整流MOSFET的柵極連接,通過(guò)檢測(cè)漏極電壓的變化來(lái)控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷。
        在同步整流MOSFET的漏極與源極之間并聯(lián)一個(gè)肖特基二極管,用于在MOSFET關(guān)斷時(shí)提供續(xù)流路徑,確保電路的穩(wěn)定運(yùn)行。

    保護(hù)電路設(shè)計(jì):
        利用LP35118V內(nèi)置的VCC欠壓保護(hù)和過(guò)壓鉗位功能,確保芯片在異常情況下能夠及時(shí)響應(yīng),避免損壞。
        在電路中添加適當(dāng)?shù)臑V波電容和電阻,以降低電磁干擾和噪聲,提高系統(tǒng)的EMI特性。

結(jié)論


LP35118V憑借其高性能、高耐壓和快速響應(yīng)的特點(diǎn),成為20W至30W氮化鎵快充應(yīng)用中的理想同步整流IC。通過(guò)合理的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,LP35118V能夠顯著提高氮化鎵快充的充電效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性,滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)快速充電和高效率的需求。隨著氮化鎵快充技術(shù)的不斷發(fā)展,LP35118V的應(yīng)用前景將更加廣闊。

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